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Modulo di potenza IGBT
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Modulo automobilistico di Infineon IGBT, convertitori FF1200R12IE5 del modulo di alto potere IGBT

Modulo automobilistico di Infineon IGBT, convertitori FF1200R12IE5 del modulo di alto potere IGBT

Marchio: Infineon
Numero di modello: FF1200R12IE5
MOQ: 1 set
Condizioni di pagamento: T/T
Capacità di approvvigionamento: 1000sets
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
La Cina
VCES:
1200V
Nom di IC:
1200A
ICRM:
2400A
Imballaggi particolari:
Imballaggio in scatola di legno
Capacità di alimentazione:
1000sets
Evidenziare:

modulo del igbt di alto potere

,

modulo del igbt del eupec

Descrizione del prodotto

Il motore automobilistico dei convertitori di alto potere dei moduli di Infineon Technologies IGBT FF1200R12IE5 guida

Applicazioni tipiche
• Convertitori di alto potere
• Azionamenti del motore
• Sistemi di UPS


Caratteristiche elettriche
• Temperatura di funzionamento estesa Tvj op
• Alta capacità di cortocircuito
• Robustezza imbattibile
• Tvj op = 175°C
• Fossa IGBT 5

Caratteristiche meccaniche
• Pacchetto con CTI>400
• Densità di alto potere
• Capacità di riciclaggio termico e di alto potere
• Alte distanze di spazio e di dispersione

Invertitore di IGBT
Valori nominali massimi

tensione dell'Collettore-emettitore Tvj = 25°C VCES 1200 V
Corrente di collettore continua di CC TC = 80°C, Tvj massimo = 175°C Nom di IC 1200 A
Corrente di collettore di punta ripetitiva tP = 1 spettrografia di massa ICRM 2400 A
tensione di punta dell'Portone-emettitore VGES +/--20 V

Tipo di minuto di valori caratteristici. massimo.

tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore

IC = 1200 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C

IC = 1200 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C

IC = 1200 A, VGE = 15 V Tvj = 175°C

VCE seduto

1,70

2,00

2,15

2,15

2,45

2,60

VVV
Tensione della soglia del portone IC = 33,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,25 5,80 6,35 V
Tassa del portone VGE = -15 V… +15 V, VCE = 600V QG 5,75 µC
Resistenza interna del portone Tvj = 25°C RGint 0,75
Capacità dell'input f = 1 megahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 65,5 N-F
Capacità inversa di trasferimento f = 1 megahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 2,60 N-F
corrente di taglio dell'Collettore-emettitore VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C GHIACCIA 5,0 mA
corrente di perdita dell'Portone-emettitore VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 Na
Tempo di ritardo d'apertura, carico induttivo IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGon = 0,82 Ω Tvj = 175°C
il TD sopra 0,20
0,23
0,25
µs
µs
µs
Tempo di aumento, carico induttivo IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGon = 0,82 Ω Tvj = 175°C
TR 0,16
0,17
0,18
µs
µs
µs
Tempo di ritardo di giro-fuori, carico induttivo IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGoff = 0,82 Ω Tvj = 175°C
il TD fuori 0,48
0,52
0,55
µs
µs
µs
Tempo di caduta, carico induttivo IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGoff = 0,82 Ω Tvj = 175°C
tf 0,08
0,11
0,13
µs
µs
µs
Perdita di energia d'apertura per impulso IC = 1200 A, VCE = 600 V, LS = 45 NH Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 6000 A/µs (Tvj = 175°C) Tvj = 125°C
RGon = 0,82 Ω Tvj = 175°C
Eone 80,0
120
160
mJ
mJ
mJ
Perdita di energia di giro-fuori per impulso IC = 1200 A, VCE = 600 V, LS = 45 NH Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 2800 V/µs (Tvj = 175°C) Tvj = 125°C
RGoff = 0,82 Ω Tvj = 175°C
Eoff 130
160
180
mJ
mJ
mJ
Dati dello Sc ≤ 15 V, VCC = 900 V DI VGE
VCEmax = VCES - LsCE ·µs del ≤ 10 di di/dt tP, Tvj = 175°C
ISC 4000 A
Resistenza termica, giunzione al caso IGBT/per IGBT RthJC 28,7 K/kW
Resistenza termica, caso al dissipatore di calore IGBT/per IGBT
λPaste=1W/(m. ·K)/λgrease=1W/(m. ·K)
RthCH 22,1 K/kW
Temperatura nelle circostanze di commutazione Tvj op -40 175 °C

Modulo automobilistico di Infineon IGBT, convertitori FF1200R12IE5 del modulo di alto potere IGBT 0