Name: Modulo automobilistico di Infineon IGBT, convertitori FF1200R12IE5 del modulo di alto potere IGBT
Brand: Infineon
SKU: FF1200R12IE5
Rating: 5 (140 reviews)

Casa Prodotti Modulo di potenza IGBT

Modulo automobilistico di Infineon IGBT, convertitori FF1200R12IE5 del modulo di alto potere IGBT

Dettagli:

Luogo di origine:	La Cina
Marca:	Infineon
Numero di modello:	FF1200R12IE5

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	1 set
Imballaggi particolari:	Imballaggio in scatola di legno
Tempi di consegna:	25 giorni dopo la firma del contratto
Termini di pagamento:	T/T
Capacità di alimentazione:	1000sets

Contatto

Descrizione di prodotto dettagliata

VCES:

1200V

Nom di IC:

1200A

ICRM:

2400A

Evidenziare:

modulo del igbt di alto potere

modulo del igbt del eupec

Il motore automobilistico dei convertitori di alto potere dei moduli di Infineon Technologies IGBT FF1200R12IE5 guida

Applicazioni tipiche
• Convertitori di alto potere
• Azionamenti del motore
• Sistemi di UPS

Caratteristiche elettriche
• Temperatura di funzionamento estesa Tvj op
• Alta capacità di cortocircuito
• Robustezza imbattibile
• Tvj op = 175°C
• Fossa IGBT 5

Caratteristiche meccaniche
• Pacchetto con CTI>400
• Densità di alto potere
• Capacità di riciclaggio termico e di alto potere
• Alte distanze di spazio e di dispersione

Invertitore di IGBT
Valori nominali massimi

tensione dell'Collettore-emettitore	Tvj = 25°C	VCES	1200	V
Corrente di collettore continua di CC	TC = 80°C, Tvj massimo = 175°C	Nom di IC	1200	A
Corrente di collettore di punta ripetitiva	tP = 1 spettrografia di massa	ICRM	2400	A
tensione di punta dell'Portone-emettitore		VGES	+/--20	V

Tipo di minuto di valori caratteristici. massimo.

tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore	IC = 1200 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C IC = 1200 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C IC = 1200 A, VGE = 15 V Tvj = 175°C	VCE seduto		1,70 2,00 2,15	2,15 2,45 2,60	VVV
Tensione della soglia del portone	IC = 33,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C	VGEth	5,25	5,80	6,35	V
Tassa del portone	VGE = -15 V… +15 V, VCE = 600V	QG		5,75		µC
Resistenza interna del portone	Tvj = 25°C	RGint		0,75		Ω
Capacità dell'input	f = 1 megahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V	Cies		65,5		N-F
Capacità inversa di trasferimento	f = 1 megahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V	Cres		2,60		N-F
corrente di taglio dell'Collettore-emettitore	VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C	GHIACCIA			5,0	mA
corrente di perdita dell'Portone-emettitore	VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C	IGES			400	Na
Tempo di ritardo d'apertura, carico induttivo	IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 0,82 Ω Tvj = 175°C	il TD sopra		0,20 0,23 0,25		µs µs µs
Tempo di aumento, carico induttivo	IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 0,82 Ω Tvj = 175°C	TR		0,16 0,17 0,18		µs µs µs
Tempo di ritardo di giro-fuori, carico induttivo	IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGoff = 0,82 Ω Tvj = 175°C	il TD fuori		0,48 0,52 0,55		µs µs µs
Tempo di caduta, carico induttivo	IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGoff = 0,82 Ω Tvj = 175°C	tf		0,08 0,11 0,13		µs µs µs
Perdita di energia d'apertura per impulso	IC = 1200 A, VCE = 600 V, LS = 45 NH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 6000 A/µs (Tvj = 175°C) Tvj = 125°C RGon = 0,82 Ω Tvj = 175°C	Eone		80,0 120 160		mJ mJ mJ
Perdita di energia di giro-fuori per impulso	IC = 1200 A, VCE = 600 V, LS = 45 NH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 2800 V/µs (Tvj = 175°C) Tvj = 125°C RGoff = 0,82 Ω Tvj = 175°C	Eoff		130 160 180		mJ mJ mJ
Dati dello Sc	≤ 15 V, VCC = 900 V DI VGE VCEmax = VCES - LsCE ·µs del ≤ 10 di di/dt tP, Tvj = 175°C	ISC		4000		A
Resistenza termica, giunzione al caso	IGBT/per IGBT	RthJC			28,7	K/kW
Resistenza termica, caso al dissipatore di calore	IGBT/per IGBT λPaste=1W/(m. ·K)/λgrease=1W/(m. ·K)	RthCH		22,1		K/kW
Temperatura nelle circostanze di commutazione		Tvj op	-40		175	°C