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Casa ProdottiModulo di potenza IGBT

I convertitori di alto potere automobilistici di IGBT Modul FF1500R12IE5 attivi si raddoppiano 1500,0 A IGBT5 - E5

I convertitori di alto potere automobilistici di IGBT Modul FF1500R12IE5 attivi si raddoppiano 1500,0 A IGBT5 - E5

  • I convertitori di alto potere automobilistici di IGBT Modul FF1500R12IE5 attivi si raddoppiano 1500,0 A IGBT5 - E5
I convertitori di alto potere automobilistici di IGBT Modul FF1500R12IE5 attivi si raddoppiano 1500,0 A IGBT5 - E5
Dettagli:
Luogo di origine: La Cina
Marca: Infineon
Numero di modello: FF1500R12IE5
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1 set
Imballaggi particolari: Imballaggio in scatola di legno
Tempi di consegna: 25 giorni dopo la firma del contratto
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 1000sets
Contatto
Descrizione di prodotto dettagliata
VCES: 1200V Nom di IC: 1500A
ICRM: 3000A Applicazioni: Azionamenti del motore
Evidenziare:

modulo del igbt di alto potere

,

modulo del igbt del eupec

PrimePACK™3+modulewithTrench/FieldstopIGBT5, EmitterControlled5diodeandNTC VCES = 12

Applicazioni potenziali
• Sistemi di UPS
• Convertitori di alto potere
• Applicazioni solari
• Azionamenti del motore

Caratteristiche elettriche
• Tvj op = 175°C
• Temperatura di funzionamento estesa Tvj op
• Robustezza imbattibile
• Fossa IGBT 5
• Alta capacità di cortocircuito

Caratteristiche meccaniche
• Pacchetto con CTI>400
• Densità di alto potere
• Capacità di riciclaggio termico e di alto potere
• Alte distanze di spazio e di dispersione

Invertitore di IGBT
Valori nominali massimi

tensione dell'Collettore-emettitore Tvj = 25°C VCES 1200 V
Corrente di collettore continua di CC TC = 100°C, Tvj massimo = 175°C Nom di IC 1500 A
Corrente di collettore di punta ripetitiva tP = 1 spettrografia di massa ICRM 3000 A
tensione di punta dell'Portone-emettitore VGES +/--20 V

Tipo di minuto di valori caratteristici. massimo.

tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore IC = 1500 A, VGE = 15 V
IC = 1500 A, VGE = 15 V
IC = 1500 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
VCE seduto 1,70
2,00
2,15
2,15
2,45
2,60
VVV
Tensione della soglia del portone IC = 41,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,25 5,80 6,35 V
Tassa del portone VGE = -15 V… +15 V, VCE = 600V QG 7,15 µC
Resistenza interna del portone Tvj = 25°C RGint 0,6
Capacità dell'input f = 1 megahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 82,0 N-F
Capacità inversa di trasferimento f = 1 megahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 3,25 N-F
corrente di taglio dell'Collettore-emettitore VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C GHIACCIA 5,0 mA
corrente di perdita dell'Portone-emettitore VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 Na
Tempo di ritardo d'apertura, carico induttivo IC = 1500 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = Ω 0,82
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
il TD sopra 0,26
0,28
0,28
µs
µs
µs
Tempo di aumento, carico induttivo IC = 1500 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = Ω 0,82
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
TR 0,16
0,17
0,18
µs
µs
µs
Tempo di ritardo di giro-fuori, carico induttivo IC = 1500 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = Ω 0,82
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
il TD fuori 0,51
0,56
0,59
µs
µs
µs
Tempo di caduta, carico induttivo IC = 1500 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = Ω 0,82
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
tf 0,09
0,11
0,13
µs
µs
µs
Perdita di energia d'apertura per impulso IC = 1500 A, VCE = 600 V, LS = 30 NH
VGE = ±15 V, di/dt = 7900 A/µs (Tvj = 175°C)
RGon = Ω 0,82
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Eone 120
180
215
mJ
mJ
mJ
Perdita di energia di giro-fuori per impulso IC = 1500 A, VCE = 600 V, LS = 30 NH
VGE = ±15 V, du/dt = 2750 V/µs (Tvj = 175°C)
RGoff = Ω 0,82
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Eoff 155
195
220
mJ
mJ
mJ
Dati dello Sc ≤ 15 V, VCC = 900 V DI VGE
VCEmax = VCES - LsCE ·µs del ≤ 10 di di/dt tP, Tvj = 175°C
ISC 5600 A
Resistenza termica, giunzione al caso Ogni IGBT/per IGBT RthJC 19,5 K/kW
Resistenza termica, caso al dissipatore di calore ogni IGBT/per IGBT
λPaste = 1 con (m. ·K)/λgrease =1 con (m. ·K)
RthCH 12,5 K/kW
Temperatura nelle circostanze di commutazione Tvj op -40 175 °C

I convertitori di alto potere automobilistici di IGBT Modul FF1500R12IE5 attivi si raddoppiano 1500,0 A IGBT5 - E5 0

Dettagli di contatto
Hontai Machinery and equipment (HK) Co. ltd

Persona di contatto: Ms. Biona

Telefono: 86-755-83014873

Fax: 86-755-83047632

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