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Dettagli dei prodotti

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Modulo di potenza IGBT
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1200V serie C doppia del dispositivo di presa di forza del modulo FF200R12KT4 del ponte dell'invertitore IGBT mezza 62mm

1200V serie C doppia del dispositivo di presa di forza del modulo FF200R12KT4 del ponte dell'invertitore IGBT mezza 62mm

Marchio: Infineon
Numero di modello: FF200R12KT4
MOQ: 1 set
Condizioni di pagamento: T/T
Capacità di approvvigionamento: 1000sets
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
La Cina
VCES:
1200V
Nom IC di IC:
200A
IC:
320A
ICRM:
400A
Imballaggi particolari:
Imballaggio in scatola di legno
Capacità di alimentazione:
1000sets
Evidenziare:

modulo del igbt di alto potere

,

igbt automobilistico

Descrizione del prodotto

serie C del mezzo ponte 62mm 1200 V, modulo doppio del dispositivo di presa di forza dei moduli FF200R12KT4 dell'invertitore IGBT

Valori nominali massimi

tensione dell'Collettore-emettitore Tvj = 25°C VCES 1200 V
Corrente di collettore continua di CC TC = 100°C, Tvj massimo = 175°C
TC = 25°C, Tvj massimo = 175°C
Nom di IC
IC

200

320

A

A

Corrente di collettore di punta ripetitiva tP = 1 spettrografia di massa ICRM 400 A
Dissipazione di potere totale

TC = 25°C,

Tvj massimo = 175°C

Ptot 1100 W
tensione di punta dell'Portone-emettitore VGES +/--20 V

Valori caratteristici

tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore

IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C

IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C
IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C

VCE seduto 1,75
2,05
2,10
2,15 V
VV
Tensione della soglia del portone IC = 7,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,2 5,8 6,4 V
Tassa del portone VGE = -15 V… +15 V QG 1,80 µC
Resistenza interna del portone Tvj = 25°C RGint 3,8
Capacità dell'input f = 1 megahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 14,0 N-F
Capacità inversa di trasferimento f = 1 megahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,50 N-F
corrente di taglio dell'Collettore-emettitore VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C GHIACCIA 5,0 mA
corrente di perdita dell'Portone-emettitore VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 Na
Tempo di ritardo d'apertura, carico induttivo IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C
il TD sopra 0,16 0,17
0,18
µs
µs
µs
Tempo di aumento, carico induttivo IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C
TR 0.045 0,04
0,50
µs
µs
µs
Tempo di ritardo di giro-fuori, carico induttivo IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C
il TD fuori 0,45 0,52
0,54
µs
µs
µs
Tempo di caduta, carico induttivo IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C
tf 0,10 0,16
0,16
µs
µs
µs
Perdita di energia d'apertura per impulso IC = 200 A, VCE = 600 V, LS = 30 NH Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 4000 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C
Eone 10,0
15,0
17,0
19,0
30,0
36,0
Perdita di energia di giro-fuori per impulso IC = 200 A, VCE = 600 V, LS = 30 NH Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 4500 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 2,4 Ω Tvj = 150°C
Eoff 14,0
20,0
23,0
mJ
mJ
mJ
Dati dello Sc ≤ 15 V, VCC = 900 V DI VGE
VCEmax = VCES - LsCE ·µs del ≤ 10 di di/dt tP, Tvj = 150°C
ISC 800 mJ
mJ
mJ
Resistenza termica, giunzione al caso IGBT/per IGBT RthJC 0.135 K/W
Resistenza termica, dissipatore di calore di caseto OGNI IGBT/per IGBT
λPaste = 1 con (m. ·K)/λgrease = 1 con (m. ·K)
RthCH 0.034 K/W
Temperatura nelle circostanze di commutazione Tvj op -40 150

°C

1200V serie C doppia del dispositivo di presa di forza del modulo FF200R12KT4 del ponte dell'invertitore IGBT mezza 62mm 0

1200V serie C doppia del dispositivo di presa di forza del modulo FF200R12KT4 del ponte dell'invertitore IGBT mezza 62mm 1