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| Luogo di origine: | La Cina |
| Marca: | Infineon |
| Numero di modello: | FF200R12KT4 |
| Quantità di ordine minimo: | 1 set |
|---|---|
| Imballaggi particolari: | Imballaggio in scatola di legno |
| Tempi di consegna: | 25 giorni dopo la firma del contratto |
| Termini di pagamento: | T/T |
| Capacità di alimentazione: | 1000sets |
| VCES: | 1200V | Nom IC di IC: | 200A |
|---|---|---|---|
| IC: | 320A | ICRM: | 400A |
| Evidenziare: | modulo del igbt di alto potere,igbt automobilistico |
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serie C del mezzo ponte 62mm 1200 V, modulo doppio del dispositivo di presa di forza dei moduli FF200R12KT4 dell'invertitore IGBT
Valori nominali massimi
| tensione dell'Collettore-emettitore | Tvj = 25°C | VCES | 1200 | V |
| Corrente di collettore continua di CC | TC = 100°C, Tvj massimo = 175°C TC = 25°C, Tvj massimo = 175°C |
Nom di IC IC |
200 320 |
A A |
| Corrente di collettore di punta ripetitiva | tP = 1 spettrografia di massa | ICRM | 400 | A |
| Dissipazione di potere totale |
TC = 25°C, Tvj massimo = 175°C |
Ptot | 1100 | W |
| tensione di punta dell'Portone-emettitore | VGES | +/--20 | V |
Valori caratteristici
| tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore |
IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C |
VCE seduto | 1,75 2,05 2,10 |
2,15 | V VV |
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| Tensione della soglia del portone | IC = 7,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C | VGEth | 5,2 | 5,8 | 6,4 | V |
| Tassa del portone | VGE = -15 V… +15 V | QG | 1,80 | µC | ||
| Resistenza interna del portone | Tvj = 25°C | RGint | 3,8 | Ω | ||
| Capacità dell'input | f = 1 megahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V | Cies | 14,0 | N-F | ||
| Capacità inversa di trasferimento | f = 1 megahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V | Cres | 0,50 | N-F | ||
| corrente di taglio dell'Collettore-emettitore | VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C | GHIACCIA | 5,0 | mA | ||
| corrente di perdita dell'Portone-emettitore | VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C | IGES | 400 | Na | ||
| Tempo di ritardo d'apertura, carico induttivo | IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C |
il TD sopra | 0,16 0,17 0,18 |
µs µs µs |
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| Tempo di aumento, carico induttivo | IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C |
TR | 0.045 0,04 0,50 |
µs µs µs |
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| Tempo di ritardo di giro-fuori, carico induttivo | IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C |
il TD fuori | 0,45 0,52 0,54 |
µs µs µs |
||
| Tempo di caduta, carico induttivo | IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C |
tf | 0,10 0,16 0,16 |
µs µs µs |
||
| Perdita di energia d'apertura per impulso | IC = 200 A, VCE = 600 V, LS = 30 NH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 4000 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C |
Eone | 10,0 15,0 17,0 |
19,0 30,0 36,0 |
||
| Perdita di energia di giro-fuori per impulso | IC = 200 A, VCE = 600 V, LS = 30 NH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 4500 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 2,4 Ω Tvj = 150°C |
Eoff | 14,0 20,0 23,0 |
mJ mJ mJ |
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| Dati dello Sc | ≤ 15 V, VCC = 900 V DI VGE VCEmax = VCES - LsCE ·µs del ≤ 10 di di/dt tP, Tvj = 150°C |
ISC | 800 | mJ mJ mJ |
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| Resistenza termica, giunzione al caso | IGBT/per IGBT | RthJC | 0.135 | K/W | ||
| Resistenza termica, dissipatore di calore di caseto | OGNI IGBT/per IGBT λPaste = 1 con (m. ·K)/λgrease = 1 con (m. ·K) |
RthCH | 0.034 | K/W | ||
| Temperatura nelle circostanze di commutazione | Tvj op | -40 | 150 |
°C
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Persona di contatto: Ms. Biona
Telefono: 86-755-82861683
Fax: 86-755-83989939
Carbone ricambio alimentatore scheda principale, scheda CPU 9224 / CS2024 / EG24 (scheda Micro)
