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Il modulo di potere di Infineon IGBT FF50R12RT4 34mm 1200V si raddoppia IGBT con la fossa veloce/Fieldstop

Name: Il modulo di potere di Infineon IGBT FF50R12RT4 34mm 1200V si raddoppia IGBT con la fossa veloce/Fieldstop
Brand: Hontai Machinery and equipment (HK) Co. ltd
SKU: FF50R12RT4
Price: 210.00 USD
Availability: InStock

Marchio:	Infineon
Numero di modello:	FF50R12RT4
MOQ:	1 set
Condizioni di pagamento:	T/T
Capacità di approvvigionamento:	1000sets

Informazioni dettagliate

Descrizione del prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

La Cina

VCES:

1200V

Nom di IC:

50A

ICRM:

100A

Applicazioni:

Azionamenti del motore

Caratteristiche elettriche:

Perdite basse di commutazione

Imballaggi particolari:

Imballaggio in scatola di legno

Capacità di alimentazione:

1000sets

Evidenziare:

modulo del igbt di alto potere

igbt automobilistico

Descrizione del prodotto

Infineon FF50R12RT4 34 millimetri ben noti 1200V si raddoppia moduli di IGBT con la fossa/il fieldstop IGBT4 e l'emettitore veloci controllato

Applicazioni tipiche

• Convertitori di alto potere

• Azionamenti del motore

• Sistemi di UPS

Caratteristiche elettriche

• Temperatura estesa Tvj di operazione op

• Perdite basse di commutazione

• VCEsat basso

• Tvj op = 150°C

• VCEsat con il coefficiente di temperatura positivo

Caratteristiche meccaniche

• Base di appoggio isolata

• Alloggio standard

IGBT, invertitore

Valori nominali massimi

tensione dell'Collettore-emettitore	Tvj = 25°C	VCES	1200	V
Corrente di collettore continua di CC	TC = 100°C, Tvj massimo = 175°C	Nom di IC	50	A
Corrente di collettore di punta ripetitiva	tP = 1 spettrografia di massa	ICRM	100	A
Dissipazione di potere totale	TC = 25°C, Tvj massimo = 175°C	Ptot	285	W
tensione di punta dell'Portone-emettitore		VGES	+/--20	V

Valori caratteristici

tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore	IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C	VCE seduto		1,85 2,15 2,25	2,15	V VV
Tensione della soglia del portone	IC = 1,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C	VGEth	5,2	5,8	6,4	V
Tassa del portone	VGE = -15 V… +15 V	QG		0,38		µC
Resistenza interna del portone	Tvj = 25°C	RGint		4,0		Ω
Capacità dell'input	f = 1 megahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V	Cies		2,80		N-F
Capacità inversa di trasferimento	f = 1 megahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V	Cres		0,10		N-F
corrente di taglio dell'Collettore-emettitore	VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C	GHIACCIA			1,0	mA
corrente di perdita dell'Portone-emettitore	VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C	IGES			100	Na
Tempo di ritardo d'apertura, carico induttivo	IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 15 Ω Tvj = 150°C	il TD sopra		0,13 0,15 0,15		µs µs µs
Tempo di aumento, carico induttivo	IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 15 Ω Tvj = 150°C	TR		0,02 0,03 0.035		µs µs µs
Tempo di ritardo di giro-fuori, carico induttivo	IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C	il TD fuori		0,30 0,38 0,40		µs µs µs
Tempo di caduta, carico induttivo	IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C	tf		0.045 0,08 0,09		µs µs µs
Perdita di energia d'apertura per impulso	IC = 50 A, VCE = 600 V, LS = 30 NH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 1300 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 15 Ω Tvj = 150°C	Eone		4,50 6,50 7,50		19,0 30,0 36,0
Perdita di energia di giro-fuori per impulso	IC = 50 A, VCE = 600 V, LS = 30 NH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 3800 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C	Eoff		2,50 4,00 4,50		mJ mJ mJ
Dati dello Sc	≤ 15 V, VCC = 800 V DI VGE VCEmax = VCES - LsCE ·µs del ≤ 10 di di/dt tP, Tvj = 150°C	ISC		180		mJ mJ mJ
Resistenza termica, giunzione al caso	IGBT/per IGBT	RthJC			0,53	K/W
Resistenza termica, dissipatore di calore di caseto	OGNI IGBT/per IGBT λPaste = 1 con (m. ·K)/λgrease = 1 con (m. ·K)	RthCH		0.082		K/W
Temperatura nelle circostanze di commutazione		Tvj op	-40		150	°C

Tag:

Modulo di comunicazione a distanza di rete 4G universale CAT1 Quectel LTE serie EG912U Standard TD-LTE 4G TCP/UDP/PPP/FTP/HTTP

Ottieni il miglior prezzo

Azionatore elettrico della valvola

Valvola centrale elettrica

Relè di controllo elettronico

ESP Controller

Sistema di accensione di rendimento elevato

Indicatore di velocità di Digitahi

Sensore di velocità di rotazione

Carbone alimentatore Spare

3 Motori elettrici di fase

Pesi il regolatore dell'alimentatore

Indicatori di livello magnetici

Relè di protezione del trasformatore

Contattore di CC

Dispositivi di protezione di bassa tensione

Elettro freno idraulico del propulsore

Modulo di potenza IGBT

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Elettro freno idraulico del propulsore

Modulo di potenza IGBT

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Il modulo di potere di Infineon IGBT FF50R12RT4 34mm 1200V si raddoppia IGBT con la fossa veloce/Fieldstop

Il modulo di potere di Infineon IGBT FF50R12RT4 34mm 1200V si raddoppia IGBT con la fossa veloce/Fieldstop

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