Name: Il modulo di potere di Infineon IGBT FF50R12RT4 34mm 1200V si raddoppia IGBT con la fossa veloce/Fieldstop
Brand: Infineon
SKU: FF50R12RT4
Rating: 4.6 (152 reviews)

Casa Prodotti Modulo di potenza IGBT

Il modulo di potere di Infineon IGBT FF50R12RT4 34mm 1200V si raddoppia IGBT con la fossa veloce/Fieldstop

Dettagli:

Luogo di origine:	La Cina
Marca:	Infineon
Numero di modello:	FF50R12RT4

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	1 set
Imballaggi particolari:	Imballaggio in scatola di legno
Tempi di consegna:	25 giorni dopo la firma del contratto
Termini di pagamento:	T/T
Capacità di alimentazione:	1000sets

Contatto

Descrizione di prodotto dettagliata

VCES:	1200V	Nom di IC:	50A
ICRM:	100A	Applicazioni:	Azionamenti del motore
Caratteristiche elettriche:	Perdite basse di commutazione
Evidenziare:	modulo del igbt di alto potere , igbt automobilistico

Infineon FF50R12RT4 34 millimetri ben noti 1200V si raddoppia moduli di IGBT con la fossa/il fieldstop IGBT4 e l'emettitore veloci controllato

Applicazioni tipiche

• Convertitori di alto potere

• Azionamenti del motore

• Sistemi di UPS

Caratteristiche elettriche

• Temperatura estesa Tvj di operazione op

• Perdite basse di commutazione

• VCEsat basso

• Tvj op = 150°C

• VCEsat con il coefficiente di temperatura positivo

Caratteristiche meccaniche

• Base di appoggio isolata

• Alloggio standard

IGBT, invertitore

Valori nominali massimi

tensione dell'Collettore-emettitore	Tvj = 25°C	VCES	1200	V
Corrente di collettore continua di CC	TC = 100°C, Tvj massimo = 175°C	Nom di IC	50	A
Corrente di collettore di punta ripetitiva	tP = 1 spettrografia di massa	ICRM	100	A
Dissipazione di potere totale	TC = 25°C, Tvj massimo = 175°C	Ptot	285	W
tensione di punta dell'Portone-emettitore		VGES	+/--20	V

Valori caratteristici

tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore	IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C	VCE seduto		1,85 2,15 2,25	2,15	V VV
Tensione della soglia del portone	IC = 1,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C	VGEth	5,2	5,8	6,4	V
Tassa del portone	VGE = -15 V… +15 V	QG		0,38		µC
Resistenza interna del portone	Tvj = 25°C	RGint		4,0		Ω
Capacità dell'input	f = 1 megahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V	Cies		2,80		N-F
Capacità inversa di trasferimento	f = 1 megahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V	Cres		0,10		N-F
corrente di taglio dell'Collettore-emettitore	VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C	GHIACCIA			1,0	mA
corrente di perdita dell'Portone-emettitore	VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C	IGES			100	Na
Tempo di ritardo d'apertura, carico induttivo	IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 15 Ω Tvj = 150°C	il TD sopra		0,13 0,15 0,15		µs µs µs
Tempo di aumento, carico induttivo	IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 15 Ω Tvj = 150°C	TR		0,02 0,03 0.035		µs µs µs
Tempo di ritardo di giro-fuori, carico induttivo	IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C	il TD fuori		0,30 0,38 0,40		µs µs µs
Tempo di caduta, carico induttivo	IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C	tf		0.045 0,08 0,09		µs µs µs
Perdita di energia d'apertura per impulso	IC = 50 A, VCE = 600 V, LS = 30 NH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 1300 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 15 Ω Tvj = 150°C	Eone		4,50 6,50 7,50		19,0 30,0 36,0
Perdita di energia di giro-fuori per impulso	IC = 50 A, VCE = 600 V, LS = 30 NH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 3800 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C	Eoff		2,50 4,00 4,50		mJ mJ mJ
Dati dello Sc	≤ 15 V, VCC = 800 V DI VGE VCEmax = VCES - LsCE ·µs del ≤ 10 di di/dt tP, Tvj = 150°C	ISC		180		mJ mJ mJ
Resistenza termica, giunzione al caso	IGBT/per IGBT	RthJC			0,53	K/W
Resistenza termica, dissipatore di calore di caseto	OGNI IGBT/per IGBT λPaste = 1 con (m. ·K)/λgrease = 1 con (m. ·K)	RthCH		0.082		K/W
Temperatura nelle circostanze di commutazione		Tvj op	-40		150	°C