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Dettagli dei prodotti

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Modulo di potenza IGBT
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Modulo pieno AG di Igbt del ponte di FP50R12KT4_B11 Infineon | L'emettitore ha controllato il diodo 4

Modulo pieno AG di Igbt del ponte di FP50R12KT4_B11 Infineon | L'emettitore ha controllato il diodo 4

Marchio: Infineon
Numero di modello: FF1500R12IE5
MOQ: 1 set
Condizioni di pagamento: T/T
Capacità di approvvigionamento: 1000sets
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
La Cina
VCES:
1200V
Nom di IC:
1500A
ICRM:
3000A
Caratteristiche meccaniche:
Base di rame
Imballaggi particolari:
Imballaggio in scatola di legno
Capacità di alimentazione:
1000sets
Evidenziare:

modulo del igbt di alto potere

,

modulo del igbt del eupec

Descrizione del prodotto
Moduli di potenza IGBT FP50R12KT4_B11 Infineon Technologies AG | Emettitore Controllato a 4 diodi

Applicazioni tipiche
• Inverter ausiliari
• Motor Drives
• Servoazionamenti


Caratteristiche elettriche
• Perdite di commutazione basse
• Tvj op = 150 ° C
• VCEsat con coefficiente di temperatura positivo
• Basso VCEsat


Caratteristiche meccaniche
• Elevata potenza e capacità di ciclismo termico
• Densità ad alta potenza
• Sensore di temperatura NTC integrato
• Piastra di base in rame
• Tecnologia PressFIT Contact
• Alloggiamento standard